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元件参数资料
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参数目录42509
> SIE854DF-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 100V POLARPAK
型号:
SIE854DF-T1-GE3
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Vishay Siliconix
描述:
MOSFET N-CH D-S 100V POLARPAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
SIE854DF-T1-GE3 PDF
标准包装
3,000
系列
TrenchFET®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
60A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
14.2 毫欧 @ 13.2A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4.4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
75nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
3100pF @ 50V
功率 - 最大
125W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
10-PolarPAK?(L)
供应商设备封装
10-PolarPAK?(L)
包装
带卷 (TR)
其它名称
SIE854DF-T1-GE3TR
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